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MPS650中文资料

厂家型号

MPS650

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2

功能描述

NPN - High Current Transistor Chip

两极晶体管 - BJT NPN Hi-Cur

数据手册

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生产厂商

Central Semiconductor Corp

简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

LOGO

MPS650数据手册规格书PDF详情

PROCESS CP314V

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

MPS650产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPS650

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Hi-Cur

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MPS650RLRAG 价格

参考价格:¥0.5457

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    2020-7-17

MPS650 晶体管资料

  • MPS6507别名:MPS6507三极管、MPS6507晶体管、MPS6507晶体三极管

  • MPS6507生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MPS6507制作材料:Si-NPN

  • MPS6507性质:甚高频 (VHF)_混频 (M)

  • MPS6507封装形式:直插封装

  • MPS6507极限工作电压

  • MPS6507最大电流允许值

  • MPS6507最大工作频率:>700MHZ

  • MPS6507引脚数:3

  • MPS6507最大耗散功率

  • MPS6507放大倍数

  • MPS6507图片代号:A-31

  • MPS6507vtest:0

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