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CTLDM8120-M832DS中文资料

厂家型号

CTLDM8120-M832DS

丝印代码

CFVS

封装外壳

TLM832DS

文件大小

758.99Kbytes

页面数量

5

功能描述

SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CTLDM8120-M832DS数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR

CTLDM8120-M832DS is an Enhancement-mode Dual

P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel

DMOS Process, designed for high speed pulsed

amplifier and driver applications. This MOSFET offers

Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.

APPLICATIONS:

• Switching Circuits

• DC-DC Converters

• Battery powered portable devices

FEATURES:

• ESD protection up to 2kV

• Low rDS(ON) (0.24Ω MAX @ VGS=1.8V)

• High current (ID=0.95A)

• Logic level compatibility

更新时间:2026-7-30 12:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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