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CP734V数据手册规格书PDF详情
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 19.7 x 19.7 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 4.0 x 4.0 MILS
Emitter Bonding Pad Area 4.7 x 4.7 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
CP734V产品属性
- 类型
描述
- 型号
CP734V
- 制造商
CENTRAL
- 制造商全称
Central Semiconductor Corp
- 功能描述
Small Signal Transistors PNP - Chopper Transistor Chip
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