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CP588V中文资料

厂家型号

CP588V

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2

功能描述

Small Signal Transistor PNP - Low Noise Amplifier Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP588V数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 14.6 x 14.6 MILS

Die Thickness 7.1 MILS

Base Bonding Pad Area 3.9 x 3.9 MILS

Emitter Bonding Pad Area 5.5 x 5.5 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 18,000Å

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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