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CP547数据手册规格书PDF详情
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL BASE
Die Size 195 X 195 MILS
Die Thickness 12 MILS
Base Bonding Pad Area 29 X 29 MILS
Emitter Bonding Pad Area 61 X 35 MILS
Top Side Metalization AI - 30,000Å
Back Side Metalization Ti/Ni/Au - 6,000Å
CP547产品属性
- 类型
描述
- 型号
CP547
- 制造商
CENTRAL
- 制造商全称
Central Semiconductor Corp
- 功能描述
Power Transistor PNP - Darlington Chip
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