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PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 11 x 11 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 3.7 x 3.7 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.7 x 3.7 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
CP392V产品属性
- 类型
描述
- 型号
CP392V
- 制造商
CENTRAL
- 制造商全称
Central Semiconductor Corp
- 功能描述
Smal Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
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