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厂家型号	CP309
文件大小	215.99Kbytes
页面数量	2页
功能描述	Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	CENTRAL

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 41.3 x 41.3 MILS

Die Thickness 9.0 MILS

Base Bonding Pad Area 9.4 x 9.2 MILS

Emitter Bonding Pad Area 12.8 x 10.2 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Ag - 12,000Å

CP309供应商...

更新时间：2025-8-15 18:35:00

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