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CP305-2N3019中文资料

厂家型号

CP305-2N3019

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功能描述

NPN - High Current Transistor Die

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP305-2N3019数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 31 x 31 MILS

Die Thickness 9.0 MILS

Base Bonding Pad Area 5.9 x 11.8 MILS

Emitter Bonding Pad Area 6.5 x 13.8 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 18,000Å

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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