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CP303X中文资料

厂家型号

CP303X

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2

功能描述

NPN - High Current Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP303X数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 22 x 22 MILS

Die Thickness 5.9 MILS

Base Bonding Pad Area 3.7 x 3.7 MILS

Emitter Bonding Pad Area 4.2 x 4.2 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au-As - 13,000Å

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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