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CP230中文资料

厂家型号

CP230

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功能描述

Power Transistors NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP230数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL BASE

Die Size 80 x 80 MILS

Die Thickness 8.0 MILS

Base Bonding Pad Area 18 x 27 MILS

Emitter Bonding Pad Area 34 x 34 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Ti/Pd/Ag - 20,000Å

CP230产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CP230

  • 制造商

    CENTRAL

  • 制造商全称

    Central Semiconductor Corp

  • 功能描述

    Power Transistors NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

更新时间:2026-1-3 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
25+
SOT23-6
20300
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