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CMBDM3590中文资料

厂家型号

CMBDM3590

丝印代码

R

封装外壳

SOT-923

文件大小

334.91Kbytes

页面数量

3

功能描述

SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFETS

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CMBDM3590数据手册规格书PDF详情

APPLICATIONS:

• Load/Power Switches

• Power Supply Converter Circuits

• Battery Powered Portable Devices

FEATURES:

• Power Dissipation: 125mW

• Low Package Profile: 0.4mm

• Low rDS(ON)

• Low Threshold Voltage

• Logic Level Compatibility

• Small SOT-923 Surface Mount Package

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBDM3590 and

CMBDM7590 are complementary N-Channel and

P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs

designed for high speed pulsed amplifier and driver

applications. These MOSFETs offer Low rDS(ON) and

Low Threshold Voltage.

更新时间:2026-7-30 14:30:00
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