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2N6123中文资料

厂家型号

2N6123

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1

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

2N6123数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.

2N6123产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6123

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CENTRAL
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2N6123 价格

参考价格:¥6.7089

型号:2N6123 品牌:Central Semiconductor Co 备注:这里有2N6123多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N6123批发/采购报价,2N6123行情走势销售排排榜,2N6123报价。

2N6123 晶体管资料

  • 2N6123别名:2N6123三极管、2N6123晶体管、2N6123晶体三极管

  • 2N6123生产厂家:美国国民半导体公司_德国电子元件股份公司

  • 2N6123制作材料:Si-NPN

  • 2N6123性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N6123封装形式:直插封装

  • 2N6123极限工作电压:80V

  • 2N6123最大电流允许值:4A

  • 2N6123最大工作频率:>2.5MHZ

  • 2N6123引脚数:3

  • 2N6123最大耗散功率:40W

  • 2N6123放大倍数

  • 2N6123图片代号:B-10

  • 2N6123vtest:80

  • 2N6123htest:2500100

  • 2N6123atest:4

  • 2N6123wtest:40

  • 2N6123代换 2N6123用什么型号代替:BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,BD951,3DD64C,