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NE429M01-T1中文资料

厂家型号

NE429M01-T1

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6

功能描述

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

MOSFET Super Lo Noise HJFET

数据手册

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生产厂商

CEL

NE429M01-T1数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for second and third stage low noise amplifiers in DBS, TVRO and other commercial systems.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• LOW NOISE FIGURE & HIGH ASSOCIATED GAIN:

NF = 0.9 dB TYP, GA = 10 dB TYP at f = 12 GHz

• 6 PIN SUPER MINIMOLD PACKAGE

• GATE WIDTH: Wg = 200µm

NE429M01-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE429M01-T1

  • 功能描述

    MOSFET Super Lo Noise HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 15:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
16+
SOT-363
10000
进口原装现货/价格优势!
24+
21000
本站现库存
SOT-363
23+
NA
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SOT-363
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22+
SOT-363
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原装正品,支持实单