位置:NE3512S02-T1D-A > NE3512S02-T1D-A详情

NE3512S02-T1D-A中文资料

厂家型号

NE3512S02-T1D-A

文件大小

270.66Kbytes

页面数量

8

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

CEL

NE3512S02-T1D-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-10 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7768
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
RENESAS
2016+
TO-50
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
原厂正品
23+
SMT
5000
原装正品,假一罚十
RENESAS
20+
SMT-86
19570
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
24+
65200
RENESAS/瑞萨
21+
TO-50
10000
原装现货假一罚十
RENESAS/瑞萨
2015+
TO-50
50000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
S02
10000
RENESAS
23+
TO-50
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!