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CSD863中文资料

厂家型号

CSD863

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718Kbytes

页面数量

4

功能描述

EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS

MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

CDIL

CSD863产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CSD863

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 15:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
SOP
6000
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现
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CSD86360Q5D 价格

参考价格:¥9.4709

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