型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C1312CV18-250BZI

18-Mbit QDR-II??SRAM 2-Word Burst Architecture

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CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1312CV18-250BZI

18-Mbit QDR짰 II SRAM 2-Word Burst Architecture

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CY7C1312CV18-250BZI

封装/外壳:165-LBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

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18-Mbit QDR-II??SRAM 2-Word Burst Architecture

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CY7C1312CV18-250BZI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1312CV18-250BZI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 18MB QDR 静态随机存取存储器 2-Word

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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