| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Schottky Barrier Diodes FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim | POLYFET | | ||
1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor 文件：238.9 Kbytes Page：18 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-5-17CT817
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