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SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Generalpurposeamplifier ·Lowspeedswitchingapplications

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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Allied Components International

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更新时间:2025-7-31 11:08:01
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