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CS29-08IO1C

Phase Control Thyristor

Phase Control Thyristor ISOPLUS220TM Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Low cathode-to-tab capacitance (15pF typical) • Planar passivated ch

IXYS

艾赛斯

CS29-08IO1C

封装/外壳:ISOPLUS220™ 包装:散装 描述:SCR 800V 35A ISOPLUS220 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

IXYS

艾赛斯

Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge

Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge Including Freewheeling Diode and Field Diodes Features ● Package with DCB ceramic base plate ● Isolation voltage 3600 V~ ● Planar passivated chips ● Blocking voltage up to 1600 V ● Low forward voltage drop ● Leads suitable for PC board solderin

IXYS

艾赛斯

CS29-08IO1C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CS29-08IO1C

  • 功能描述

    SCR 23 Amps 800V 1.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值)

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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