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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 256A, TO-263 RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. TO-220 RDS(ON) typ = 2.0mW @VGS = 10V Battery protection,UPS. Applications

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 256A, TO-263 RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. TO-220 RDS(ON) typ = 2.0mW @VGS = 10V Battery protection,UPS. Applications

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-11 16:17:01
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