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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-ChannelMOSFET

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KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

ProductScoutAutomotive

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-7-23 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
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