| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CP287 | Power Transistor 8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 130 x 130 MILS Die Thickness 9.5 MILS Base Bonding Pad Area 37 x 20 MILS Emitter Bonding Pad Area 38 x 20 MILS Top Side Metalization Al - 45,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å) | CENTRAL |   | |
CP287 | Power Transistor 8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip | CENTRAL | | |
Chip Form: Power Transistor Central Semiconductor | CENTRAL | | ||
NPN - Darlington Transistor Die 20 Amp, 120 Volt 文件：544.72 Kbytes Page：5 Pages | CENTRAL | | ||
Silicon Complementary Transistors High Voltage, General Purpose Amplifier Silicon Complementary Transistors High Voltage, General Purpose Amplifier | NTE | | ||
Square Type 文件：30.88 Kbytes Page：1 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：259.17 Kbytes Page：20 Pages | TI 德州仪器 | | ||
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：259.17 Kbytes Page：20 Pages | TI 德州仪器 | | ||
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：259.17 Kbytes Page：20 Pages | TI 德州仪器 | |
CP287产品属性
- 类型
描述
- Case：
Chip_Packaging
- Configuration/ Description：
Bare die 129.920 X 129.920
- Polarity：
NPN
- IC MAX：
8A
- PD MAX：
80W
- VCEO MAX：
400V
- hFE MIN：
8
- hFE MAX：
60
- @VCE：
5V
- VCE(SAT) MAX：
2V
- @IC：
5A
- @IB：
1A
- Cob TYP：
100pF
- fT MIN：
4MHz
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- d2002
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- d1004
- d1002
- c波段
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CP60231H
优势渠道
2023-3-28CP2112-F03-GM
原装代理
2022-5-31CP30-BA1P1-M3A
CP30-BA1P1-M3A 微型断路器，最适合用于机床、办公设备、通信测量仪器等的电源关闭，控制回路的超载、短路保护的断路器
2022-2-23CP2114-B01-GM诚信立本 只做原装
所出物料均百分百原装正品，请放心购买；
2020-8-10CP2130G，CP2203，cp2210gitlx，CP2260，CP2296GITLX，CP2297
CP2130G，CP2203，cp2210gitlx，CP2260，CP2296GITLX，CP2297
2020-2-19CP301LSN28T1G原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-7-27
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