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CP10-12晶体管资料

  • CP10-12别名:CP10-12三极管、CP10-12晶体管、CP10-12晶体三极管

  • CP10-12生产厂家:美国射频增益公司

  • CP10-12制作材料:Si-NPN

  • CP10-12性质:超高频/特高频 (UHF)_功率放大 (L)

  • CP10-12封装形式:直插封装

  • CP10-12极限工作电压:36V

  • CP10-12最大电流允许值:2.5A

  • CP10-12最大工作频率:512MHZ

  • CP10-12引脚数:3

  • CP10-12最大耗散功率:35W

  • CP10-12放大倍数

  • CP10-12图片代号:B-10

  • CP10-12vtest:36

  • CP10-12htest:512000000

  • CP10-12atest:2.5

  • CP10-12wtest:35

  • CP10-12代换 CP10-12用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Compact geometric sizes

文件:218.03 Kbytes Page:3 Pages

LSTD

莱尔德

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VHB10-12F is Designed for 12.5 V, Class C Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 10 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VHB10-12S is Designed for 12.5 V, High Band Application. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 10 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VLB10-12F is Designed for 12.5 V, Large Signal Class C Amplifier Applications up to 50 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 16 dB at 10 W/50 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VLB10-12S is Designed for 12.5 V, Large Signal Class C Amplifier Applications up to 50 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 16 dB at 10 W/50 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VMB10-12Sis Designed for 12.5 V, Medium Band Class C Application. FEATURES: • Common Emitter • PG= 13 dB at 10W/88MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

更新时间:2026-5-20 22:58:00
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