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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems

ANPECAnpec Electronics Coropration

茂达电子茂达电子股份有限公司

ANPEC

ThickFilmSurfaceMountedWideBodyTapeandreelpackagingstandard

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

Networks

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

Networks

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2025-5-15 13:48:01
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