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CL-1KL3 | InfraredEmittingDiodes(GaAlAs) TheCL-1KL3isahigh-powerGaAlAsIREDmountedinadurable,hermeticallysealedTO-18metalcanpackage.TheoutputpowerishighcomparedtoGaAsIREDs(Po=Typ.30mW/sr) FEATURES •High-outputpower •Narrowbeamangle •Durable •Highreliabilityindemandingenvironments | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 |  |   |
InfraredEmittingDiodes(GaAs) TheEL-1KL3and1KL5arehigh-powerGaAsIREDsmountedindurable,hermeticallysealedTO-18metalcanpackage,whichprovidesyearsofreliableperformanceevenunderdemandingconditionssuchasuseoutdoors. FEATURES •Narrowbeamangle •Durable •Highreliabilityindemandingenvir | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | | | |
InfraredEmittingDiodes(GaAIAs) Description TheKBL-1KL3isaGaAlAsIREDmountedindurable,hermeticallysealeaTO-18metalcantype,whichprovideyearsofreliableperformance,evenunderdemandingconditionssuchasuseoutdoors. Features ◆Narrowbeamangle ◆Durable ◆Highreliabilityindemandingenvironme | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | | | |
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2021-11-3CL112A104J0701
属性参数值 商品目录聚酯薄膜电容 脚间距（mm）7 精度±5%_ 容值100nF 额定直流耐压DC100V 工作温度-40℃~+85℃
2020-11-11CL10X106MR8NNNC
CL10X106MR8NNNC
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CL21A106KPFNNNF
2019-10-29
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