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NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-27 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDK
24+
NA/
13250
原装现货,当天可交货,原型号开票
FDK
2016+
SMD
10000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
FDK
25+
402
10000
原装正品,欢迎来电咨询!
FDK
24+
ROHS
990000
明嘉莱只做原装正品现货
FDK
24+
0402
10000
全新原装数量均有多电话咨询
FDK
23+
0402L
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专做原装正品,假一罚百!
24+
5000
FDK
2402+
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原装正品!实单价优!
FDK
24+
NA
3500
原装现货,可开13%税票
FDK
15+Rohs
SMD
72800
原装新货/价格漂亮/长期大量供应

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