| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DECT 500 mW power amplifier GENERAL DESCRIPTION The CGY2032BTS is a GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) power amplifier specifically designed to operate from 3.6 V battery supply. No negative supply voltage is required for operation. FEATURES • Power Amplifier (PA) overall efficiency 55 • 27.5 dBm saturat | Philips 飞利浦 |   | ||
DECT 500 mW power amplifier | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SPACERS , STANDOFFS 文件：297.49 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
3.3V In-System Programmable High Density SuperFAST??PLD 文件：179.32 Kbytes Page：14 Pages | Lattice 莱迪思 | | ||
2.5V In-System Programmable SuperFAST??High Density PLD 文件：156.96 Kbytes Page：12 Pages | Lattice 莱迪思 | | ||
ADSL LINE TRANSFORMER 文件：57.08 Kbytes Page：1 Pages | BOTHHAND | | ||
HIGH TEMPERATURE SERIES 文件：275.11 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
19+ |
SSOP16 |
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CGY2032BT参数引脚图相关
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz， 200 Watt
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz， 75 Watt
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CH236，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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CH315，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-1
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