型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CGHV14800-TB

800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

文件:765.37 Kbytes Page:9 Pages

Cree

科锐

800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

文件:765.37 Kbytes Page:9 Pages

Cree

科锐

800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

文件:765.37 Kbytes Page:9 Pages

Cree

科锐

800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

文件:765.37 Kbytes Page:9 Pages

Cree

科锐

Heyco®-Tite Brass Profile™ Liquid Tight Cordgrips

文件:107.69 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

更新时间:2025-9-26 16:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
17+
BGA
60000
保证原装进口现货可开17%增值税发票
CREE(科锐)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Wolfspeed
24+
SMD
8000
射频结栅场效应晶体管
Wolfspeed
25+
Tube
4430
郑重承诺只做原装进口现货
Wolfspeed Inc.
25+
12-VFDFN 裸露焊盘
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Cree/Wolfspeed
22+
12DFN (4x3)
9000
原厂渠道,现货配单
CREE
638
原装正品
CREE
24+
N/A
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
Cree/Wolfspeed
23+
12DFN (4x3)
9000
原装正品,支持实单
CREE(科锐)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

CGHV14800-TB数据表相关新闻

  • CGH60060D 镁可代购

    CGH60060D 镁可

    2025-3-26
  • CGH60120D 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

    CGH60120D 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

    2020-10-27
  • CGH600008D

    CGHV1J006D CGHV1J070D CGHV60075D5 CGHV50200F CGHV1J025D CMPA0060025F CMPA601C025D CMPA2560025F CMPA0060002F CGHV96050F2 CGH40045F CGH40035F CMPA0060025D CGH55030F2/P2 CGH21240F CGH40180PP CGH40025F/P CGH40120F CGH40045F/P CGH40035F/P CGH600008D CGHV50200F

    2019-12-7
  • CGHV1J025D

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

    2019-12-7
  • CGHV1J070D-GP4

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt

    2019-12-7
  • CGHV1J006DRF晶体管

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt

    2019-12-7