| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGH31240 | 240-W, 2700 – 3100-MHz, 50-ohm Input/Output Matched GaN HEMT for S-Band Radar Systems | MACOM |   | |
240 W, 2.7-3.1 GHz, 50-ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Description Wolfspeed’s CGH31240F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH31240F ideal for 2.7-3.1 GHz S-Band radar amplifier applications. The transistor is s | WOLFSPEED | | ||
240 W, 2700-3100 MHz, 50-ohm Input 文件：2.16374 Mbytes Page：12 Pages | Cree 科锐 | | ||
240 W; 2700 - 3100 MHz; 50 - ohm Input/Output Matched GaN HEMT for S - Band Radar Systems | MACOM | | ||
240 W, 2700-3100 MHz, 50-ohm Input 文件：2.16374 Mbytes Page：12 Pages | Cree 科锐 | | ||
240 W, 2700-3100 MHz, 50-ohm Input 文件：2.16374 Mbytes Page：12 Pages | Cree 科锐 | | ||
ER Style Surface Mount Inductors 文件：41.78 Kbytes Page：2 Pages | RHOMBUS-IND | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE/科锐 |
24+ |
NA/ |
88 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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CET |
24+ |
N/A |
17860 |
公司现货库存,支持实单 |
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CREE/科锐 |
25+ |
NA |
88 |
原装正品,假一罚十! |
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CREE |
23+ |
NA |
8021 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
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CORNELLDUBILIER-CDE |
21+ |
Bulk |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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CREE |
24+ |
N/A |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
|||
CREE |
24+ |
SMD |
1680 |
一级代理原装进口现货 |
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Cornell-Dubilier |
新 |
14 |
全新原装 货期两周 |
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CREE/科锐 |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
MACOM |
24+ |
5000 |
原装军类可排单 |
CGH31240规格书下载地址
CGH31240参数引脚图相关
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CGH31240数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40010F 全新原装，只做原装
CGH40010F 十年IC，因为专注，所以专业
2021-7-12CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH40010F/P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 10 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7
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