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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | boca 博卡 |   | ||
NPN BIPOLAR TRANSISTOR RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 | Microsemi 美高森美 | | ||
NPN SILICON TRANSISTOR 文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages | Microsemi 美高森美 | | ||
Silicon NPN Transistor 文件：110.63 Kbytes Page：2 Pages | Semicoa | | ||
RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages | Microsemi 美高森美 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CGGJX2N3501规格书下载地址
CGGJX2N3501参数引脚图相关
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CGGJX2N3501数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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