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CGA6M2X7R2A474M200AE	MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS FEATURES • High resistance to mechanical stress and thermal shock by resin layers • X8R and X8L type whose maximum temperature are up to 150°C are available • C0G type having excellent stable temperature and DC-bias characteristics is also available APPLICATIONS • Fail-safe design for batte	TDK 东电化	TDK
CGA6M2X7R2A474M200AE	封装/外壳：1210（3225 公制）包装：卷带（TR）描述：CAP CER 0.47UF 100V X7R 1210 电容器陶瓷电容器	TDK 东电化	TDK
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CGA6M2X7R2A474M200AE	积层贴片陶瓷片式电容器	TDK 东电化	TDK
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CGA6M2X7R2A474M200AEE	积层贴片陶瓷片式电容器	TDK 东电化	TDK
CGA6M2X7R2A474M200AA	Multilayer Ceramic Chip Capacitors MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS Automotive grade, mid voltage (100 to 630V) ■ SERIES OVERVIEW Middle voltage CGA series, automotive grade of TDKs multilayer ceramic chip capacitor, is a product which has the high withstanding voltage characteristics. Voltage rating of 100V to 630V with capac	TDK 东电化	TDK

CGA6M2X7R2A474M200AE供应商更多...

更新时间：2025-10-27 23:00:00

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CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌镁可
2025-3-26
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21
CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7
CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7
CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23
CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
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2019-7-6