| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CG2H40120F | 120 W, 28 V, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed’s CG2H40120 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H40120, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gai | WOLFSPEED |   | |
CG2H40120F | 封装/外壳：440223 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | |
CG2H40120F | 120-W; RF Power GaN HEMT | MACOM | | |
包装：盒 描述：CG2H40120F DEV BOARD WITH HEMT 开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 | WOLFSPEED | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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