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CG2H40010F-AMP	包装：盒描述：CG2H40010F DEV BOARD WITH HEMT 开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
CG2H40010	10W,DC-8GHz,RFPowerGaNHEMT Description Wolfspeed’sCG2H40010isanunmatched,galliumnitride(GaN)highelectron mobilitytransistor(HEMT).TheCG2H40010,operatingfroma28voltrail, offersageneralpurpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowave applications.GaNHEMTsofferhighefficiency,highgai	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
CG2H40010	10W,DC-6GHz,RFPowerGaNHEMT Cree’sCG2H40010isanunmatched,galliumnitride(GaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT).TheCG2H40010,operatingfroma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTsofferhigheffciency,highgainandwidebandwidthc	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CG2H40010F	10W,DC-6GHz,RFPowerGaNHEMT Cree’sCG2H40010isanunmatched,galliumnitride(GaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT).TheCG2H40010,operatingfroma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTsofferhigheffciency,highgainandwidebandwidthc	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CG2H40010P	10W,DC-6GHz,RFPowerGaNHEMT Cree’sCG2H40010isanunmatched,galliumnitride(GaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT).TheCG2H40010,operatingfroma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTsofferhigheffciency,highgainandwidebandwidthc	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商

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更新时间：2024-5-15 17:18:00

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