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CFY30

丝印代码:A2;GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

GaAs FET * Low noise ( Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz ) * High gain ( 11.5 dB typ. @ 4 GHz ) * For oscillators up to 12 GHz * For amplifiers up to 6 GHz * Ion implanted planar structure * Chip all gold metallization * Chip nitride passivation

SIEMENS

西门子

CFY30

GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

INFINEON

英飞凌

CFY30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CFY30

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    GaAs FET(Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

更新时间:2026-8-4 18:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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