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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 53A, RDS (ON) = 7.4 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 10 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2025-8-5 19:19:01
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