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CEZ6R56L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 90A, RDS(ON) = 5.3mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 7.5m W @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2025-8-5 19:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
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2025+
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NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
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原厂原封
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