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CEZ3R19

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. 30V, 40A, RDS(ON) = 11mW @VGS = 10V. -30V, -33A, RDS(ON) = 17mW @VGS = -10V. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CEZ3R19

Dual N & P MOSFET

CET

华瑞

5 AMP FIXED NEGATIVE VOLTAGE REGULATORS

文件:31.77 Kbytes Page:4 Pages

SEME-LAB

5 AMP FIXED NEGATIVE VOLTAGE REGULATORS

文件:31.77 Kbytes Page:4 Pages

SEME-LAB

CEZ3R19产品属性

  • 类型

    描述

  • BVDSS(V):

    -30/30

  • Rds(on)mΩ@10V:

    17/11

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    26/17

  • ID(A):

    -33/40

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    18/

  • Qg(nC)@10V(typ):

    14.8

  • RθJC(℃/W):

    4.5

  • Pd(W):

    28

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    NP

更新时间:2026-5-19 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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