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CEZ09C4

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V, 240A, RDS (ON) = 0.9 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 1.7 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

CEZ09C4

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEZ09C4产品属性

  • 类型

    描述

  • BVDSS(V):

    40

  • Rds(on)mΩ@10V:

    0.9

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    1.7

  • ID(A):

    240

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    43

  • RθJC(℃/W):

    1.5

  • Pd(W):

    83

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

更新时间:2026-5-22 18:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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