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CEP12N5

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CEP12N5

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEP12N5

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:402.02 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

15-115 Watts LINEARS

文件:665.46 Kbytes Page:4 Pages

ASTEC

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:402.02 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:402.02 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

CEP12N5产品属性

  • 类型

    描述

  • BVDSS(V):

    500

  • Rds(on)mΩ@10V:

    540

  • ID(A):

    12

  • Qg(nC)@10V(typ):

    44.1

  • RθJC(℃/W):

    0.75

  • Pd(W):

    166

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

更新时间:2026-8-4 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
20+
TO-220
7500
现货很近!原厂很远!只做原装
CET/華瑞
23+
TO-220
79999
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET/華瑞
2022+
TO-220
32500
原厂代理 终端免费提供样品
CET
26+
TO-220
38754
原装正品渠道商 提供BOM一站式配单服务

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