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CED4279

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 40V , 14A , RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V. ■ -40V , -9A , RDS(ON) = 72mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 110mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capabil

CET

华瑞

CED4279

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES 40V , 14A , RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-252-4L package. RDS(ON) = 46mW @VGS = 4.5V. Lead free product is acquired. -40V , -9A , RDS(ON) = 72mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 110mW @VGS = 4.

CET-MOS

华瑞

CED4279

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

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CED4279产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CED4279

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel)

更新时间:2025-9-27 23:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Luminus
24+
N/A
6618
公司现货库存,支持实单
CET/華瑞
24+
NA/
11900
原装现货,当天可交货,原型号开票
CET
25+
TO-251
53400
原装正品,假一罚十!
VBsemi
23+
TO251
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
SR
23+
TO-251
5000
原装正品,假一罚十
CET
23+
TO-251
6000
原装正品,支持实单
CET
13+
TO-251
2517
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CET
TO-251
22+
6000
十年配单,只做原装
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO251
60000
全新原装现货
CET
23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货

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