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位置：首页 > IC中文资料第3204页 > CDR33BX104AKYS

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CDR33BX104AKYS

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement- Mode Lateral MOSFETs Designed primarily for CW large- signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

2--500 MHz, 600 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed primarily for wideband applications with frequencies up to 500 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in broadcast applications. • Typical DVB--T OFDM Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS

RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件：1.49804 Mbytes Page：18 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS

RF Power Field Effect Transistor

文件：748.8 Kbytes Page：11 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件：1.19064 Mbytes Page：19 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS

RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

CDR33BX104AKYS

RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

CDR33BX104AKYS

封装/外壳：1210（3225 公制） 包装：散装 描述：CAP CER 0.1UF 50V BX 1210 电容器 陶瓷电容器

KEMETKEMET Corporation

基美

CDR33BX104AKYS

封装/外壳：1210（3225 公制） 包装：散装 描述：CAP CER 0.1UF 50V BX 1210 电容器 陶瓷电容器

KEMETKEMET Corporation

基美

CDR33BX104AKYS

Ceramic Capacitors

KEMETKEMET Corporation

基美

CDR33BX104A

MIL-PRF-55681/Chips

文件：60.39 Kbytes Page：4 Pages

AVX

CDR33BX104A---

MIL-PRF-55681/Chips

文件：281.93 Kbytes Page：4 Pages

KSS

京瓷

CDR33BX104AKSR

CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681

文件：1.14903 Mbytes Page：10 Pages

KEMETKEMET Corporation

基美

CDR33BX104AKSS

CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681

文件：1.14903 Mbytes Page：10 Pages

KEMETKEMET Corporation

基美

CDR33BX104AKWS

RF Power LDMOS Transistors

文件：1.43744 Mbytes Page：27 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CDR33BX104AKYS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CDR33BX104AKYS

  • 功能描述

    CAP CER 0.1UF 50V 10% BX 1210

  • RoHS

    是

  • 类别

    电容器 >> 陶瓷

  • 系列

    军用, MIL-PRF-55681, CDR33

  • 标准包装

    4,000

  • 系列

    -

  • 电容

    1000pF 电压 -

  • 额定

    50V

  • 容差

    ±10%

  • 温度系数

    X7R

  • 安装类型

    表面贴装，MLCC

  • 工作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 应用

    自动

  • 额定值

    AEC-Q200

  • 封装/外壳

    0805（2012 公制）

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.047 W（2.00mm x 1.20mm） 高度 -

  • 座高（最大）

    -

  • 厚度（最大）

    -

  • 引线间隔

    -

  • 特点

    -

  • 包装

    带卷(TR)

  • 引线型

    -

CDR33BX104AKYS供应商更多...

更新时间：2025-10-19 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市创新迹电子有限公司
CDR33BX104AKYS7189
KEMET/基美
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1210SMD
566883
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CDR33BX104AKYS
AVX
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SMD
20000
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CDR33BX104AKYS
AVX
23+
SMD
20000
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现代芯城（深圳）科技有限公司
CDR33BX223BKUS
24+
N/A
82000
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深圳市河锋鑫科技有限公司
CDR33BX104AMSM
AVX
15+ROHS
SMD
493900
原装现货优势出售/高价回收此类库存
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深圳市高捷芯城科技有限公司
CDR33BX104AKYS
KEMET(基美)
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1210
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标准国际(香港)有限公司
CDR33BX223BKWP0500
AVX
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深圳市科雨电子有限公司
CDR33BX104AKYS
KEMET
25+
电容器
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