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HEXFET Power MOSFET

Description The IRF6613 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge

IRF

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

VR11.1, 4-Phase PWM Controller with Light Load Efficiency Enhancement and Load Current Monitoring Features The ISL6334B, ISL6334C control microprocessor core voltage regulation by driving up to 4 interleaved synchronous-rectified buck channels in parallel. This multiphase architecture resul

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Ultrahigh-Speed Switching Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • The MCH6613 incorporates two elements in the same package which are N-channel and P-channel low ON resistance and high-speed switching MOSFETs, thereby enabling high-density mounting. • Excellent ON-resistance characteristic. • 1.5V driv

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Low-Voltage Analog Temperature Sensor in an SC70 Package

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更新时间:2026-3-15 15:14:01
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    CAT660是一个电荷泵电压转换器。它将反转A -1.5V至- 5.5V输出1.5V至5.5V的输入。只有两个外部电容是必要的。有了保证100mA输出电流能力,CAT660可以取代一个开关稳压器和电感。降低EMI由于没有一个电感。此外,CAT660可以提供双电压从电池或电源。从2.5V至5.5V的输入将产生一个一倍,5V至11V的输出电压。提供一个频率控制引脚(升压/ FC)选择高(80KHZ)或低(10kHz的)内部振荡器的频率,从而使静态电流与电容的大小权衡。在80KHZ频率是选择时的FC引脚连接到V +。也可以调整工作频率在OSC引脚或外部,驾驶振荡电容与一个外部时钟。在提供8引脚DIP

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    CAT5401是四个数字可编程电位器(公诉主任™)集成控制逻辑和16个字节的NVRAM存储器。每个民进党由连接两个系列63个电阻元件外部访问的终点。之间的抽头点每个电阻元件的连接到雨刮器输出CMOS开关。一个独立的6位控制寄存器(“西铁”)独立控制抽头开关每个民进党。与每个雨刮器控制寄存器4个6位的非易失性内存中的数据寄存器(DR)用于存储多达四个雨刮器设置。以书面形式向雨刮器控制寄存器或任何非易失性数据寄存器是通过SPI串行总线。上电时,每个内容的第一个数据寄存器(DR0)四个电位器是自动加载到其各自的雨刮器控制寄存器。CAT5401可以被用来作为一个电位器,或作为两个终端,可变

    2012-12-12