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CAB525F12XM3

1200 V, 2.6 mΩ, Silicon Carbide, Half-Bridge Module

Technical Features • High Power Density Footprint • High Junction Temperature (175 °C) Operation • Low-Inductance (6.7 nH) Design • Implements Wolfspeed’s Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate • Advanced Direct Cooling Baseplate Typical A

WOLFSPEED

CAB525F12XM3

分立式 MOSFET

WOLFSPEED

更新时间:2026-1-4 17:27:00
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