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CAB425M12XM3

1200 V, 425 A All-Silicon Carbide Switching-Optimized, Half-Bridge Module

Technical Features • High Power Density Footprint • High Junction Temperature (175 °C) Operation • Low Inductance (6.7 nH) Design • Implements Switching-Optimized Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate VDS 1200 V IDS 425 A System Benefi

WOLFSPEED

更新时间:2025-8-7 23:00:00
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