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C910价格

参考价格：￥807.3715

型号：C9109A.41.10 品牌：General 备注：这里有C910多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，C910批发/采购报价，C910行情走势销售排行榜，C910报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
C910

NVMe™ SSD

PBlaze5 910/916 系列NVMe™ SSD，采用 64 层 3D NAND， 容量高达 15.36TB。凭借卓越稳定的性能， 大幅度优化的典型工作功耗，为现代数据中心提供高速、绿色访问解决方案。 • 采用64层 3D eTLC NAND，提供高达15.36TB用户容量\n• 30%~40%的能效比提升\n• 精确到每瓦的功耗控制\n• 支持32个命名空间\n• 支持双端口;

MEMBLAZE

忆恒创源

C910

包装：瓶装 描述：WIPES DRY CRITICAL TASKS 6 BAGS 静电控制，防静电，ESD，无尘室产品 无尘室处理，清洁剂，擦拭巾

CHEMTRONICS

C9100-03

Electron Multiplying TDI CCD Camera

文件：204.13 Kbytes Page：2 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

C9100-23B

EM-CCD 相机

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

C9100-24B

EM-CCD 相机

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

C910603

PLANAR TRANSCEIVERS

文件：796.91 Kbytes Page：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

C910605

PLANAR TRANSCEIVERS

文件：796.91 Kbytes Page：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

C910606

PLANAR TRANSCEIVERS

文件：796.91 Kbytes Page：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

C9108-00

Standard Dual Beam Wire Wrap Edge-Grip Sockets

文件：134.24 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

C9108-50

Standard Dual Beam Wire Wrap Edge-Grip Sockets

文件：134.24 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

C9109A

2C 22 AWG 7/30 TC PVC / OAS / PVC

文件：70.9 Kbytes Page：1 Pages

GENERAL

通用电缆

C9109A.41.10

包装：散装 描述：CABLE 2COND 22AWG GRY SHLD 1000' 电缆，电线 多芯导线

PRYSMIAN

普睿司

C910-L

FUJITSU Desktop ESPRIMO C910-L

文件：148.08 Kbytes Page：8 Pages

FUJITSU

富士通

BB910

VHF variable capacitance diode

DESCRIPTION The BB910 is a variable capacitance diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in the hermetically sealed leaded glass SOD68 (DO-34) package. FEATURES • Excellent linearity • Matched to 2.5 • Hermetically sealed leaded glass SOD68 (DO-34) package • C28: 2.5; ratio:

PHILIPS

飞利浦

BD910

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD910 and BD912 respectively. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BD910

POWER TRANSISTORS(15A,90W)

MOSPEC

统懋

BLV910

UHF power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor intended for common emitter class-AB operation. The transistor is encapsulated in a 6-lead SOT171 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve high power gain

PHILIPS

飞利浦

SA910

Variable gain RF predriver amplifier

DESCRIPTION The SA910 is a variable gain predriver amplifier designed for handheld analog cellular telephones. When used with a UHF power transistor, it forms a cost-effective, low-profile, surface mount power amplifier solution (1.2W maximum PAE > 50). The SA910 integrates power detection and

PHILIPS

飞利浦

C910产品属性

  • 类型

    描述

  • 相机头类型：

    Hermetic vacuum-sealed air/water-cooled head*1

  • 窗口：

    Anti-reflection (AR) coatings on both sides

  • 镀抗反膜：

    Yes

  • 成像设备：

    Electron Multiplying Back-Thinned Frame Transfer CCD

  • 有效像素数：

    512 (H)×512 (V)

  • 像素尺寸：

    16 μm (H)×16 μm (V)

  • 有效面积：

    8.19 mm (H) × 8.19 mm (V)

  • 像素时钟速率(EM-CCD读出)：

    22 MHz

  • 像素时钟速率(正常 CCD读出)：

    0.6875 MHz

  • EM (electron multiplying) 增益：

    4× to 1200× (typ.)*2

  • 超低光探测：

    Photon Imaging mode (1

  • 最快读出速度：

    70.4 frames/s to 1076 frames/s

  • 读出噪声(EM-CCD 读出)：

    36 electrons (EM gain 4×

  • 读出噪声(正常CCD 读出)：

    8 electrons (at 0.6875 MHz) (rms) (typ.)

  • 满阱容量：

    EM-CCD readout

  • 模拟增益：

    EM-CCD readout (22 MHz)

  • 制冷温度(强制风冷)：

    At temperature control

  • 制冷温度(水冷)：

    At temperature control

  • 温度稳定性(强制风冷)：

    ±0.01 ℃ (typ.)

  • 温度稳定性(水冷)：

    ±0.01 ℃ (typ.)

  • 暗电流(强制风冷)：

    0.005 electron/pixel/s (-65 ℃) (typ.)

  • 暗电流(水冷)：

    0.0005 electron/pixel/s (-80 ℃) (typ.)

  • 时钟感生电荷：

    0.0015 events/pixel/frame (typ.)

  • 曝光时间(内部同步模式)：

    13.9 ms to 1 s (22 MHz)27.2 ms to 2 h (11 MHz)421.5 ms to 2 h (0.6875 MHz)

  • 曝光时间(外部触发模式)：

    10 μs to 1 s (22 MHz) 10 μs to 2 h (11 MHz

  • A/D 转换器：

    16 bit

  • ​输出信号/外部控制：

    IEEE1394b

  • 子阵列：

    Every 16 lines (horizontal

  • 图像拼接：

    2×2

  • 外部触发模式：

    Edge trigger

  • 触发输出：

    Exposure timing output

  • 图像处理功能(实时)：

    Background subtraction

  • EM增益保护：

    EM warning mode

  • EM增益重调：

    Available

  • 镜头卡口：

    C-mount

  • 电源：

    AC 100 V to 240 V

  • 功耗：

    Approx. 140 VA

  • 环境储存温度：

    -10 °C to + 50 °C

  • 环境工作温度：

    0 °C to + 40 °C

  • 保证性能温度：

    0 °C to + 30 °C

  • 环境工作/储存湿度：

    70 % max. (with no condensation)

C910供应商更多...

更新时间：2026-8-1 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
C9101-80053
HP
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SOP8
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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深圳市威尔健半导体有限公司
C9101-80053IC
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C9101-80053
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上海市鑫鸿达电子
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