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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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C30662E | InGaAs Avalanche Photodiode Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov | PERKINELMER | ||
高性能铟镓砷APD 埃赛力达C30662EH InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装;大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量\n\n • 感光直径:200 µm\n• 击穿电压:40-70 V\n• 温度系数:0.14V/°C\n• 响应度:在1550 nm为9.3 A/W\n• 暗电流:45 nA\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n• 结电容:2.5 pF\n• 带宽:850 MHz\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n• 增益:20\n• 封装:TO-18\n• 窗口孔径:大型2mm\n• 窗口类型:玻璃; | EXCELITAS 埃赛力达 | |||
高性能铟镓砷APD C30662EH-1 InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n专用于Delta-V > 4v\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • C30662EH-1:\n\n• 感光直径:200 µm\n\n• 击穿电压:40-70 VVbd-Vop: >4V\n\n• 温度系数:0.14V/°C\n\n• 响应度:在1550nm为9.3 A/W\n\n• 暗电流:45 nA\n\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n\n• 结电容:2.5 pF\n\n• 带宽:850 MHz\n\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n\n• 增益:20\n\n• 封装:TO-18\n\n• 窗口孔径:大型2mm\n\n• 窗口类型:玻璃; | EXCELITAS 埃赛力达 | |||
高性能铟镓砷APD C30662EH-3经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,小孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • 感光直径:200 µm击穿电压:40-70 V温度系数:0.14V/°C响应度:在1550 nm为9.3 A/W暗电流:45 nA光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz结电容:2.5 pF带宽:850 MHz量子效率:在1300-1550nm为75%增益:20封装:TO-18 窗口孔径:小型0.8mm窗口类型:玻璃; | EXCELITAS 埃赛力达 | |||
封装/外壳:2-SMD 包装:带 描述:INGAAS APD, 200UM, CERAMIC SUBMO 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管 | EXCELITAS 埃赛力达 | |||
封装/外壳:TO-18-2 金属罐 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:INGAAS APD 200UM TO-18 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管 | EXCELITAS 埃赛力达 | |||
1-, 2-, 3-Channel, 10-Input, 18-Output Line Card Timing ICs 文件:290.8 Kbytes Page:5 Pages | MICROSEMI 美高森美 |
C30662E产品属性
- 类型
描述
- 型号
C30662E
- 制造商
PERKINELMER
- 制造商全称
PerkinElmer Optoelectronics
- 功能描述
InGaAs Avalanche Photodiode
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Excelitas(埃赛力达) |
26+ |
TO-18 |
15000 |
原装认证库存更多原厂可发 |
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26+ |
N/A |
64000 |
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C2M0040120D
2020-12-23C1CB00002620
C1CB00002620,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-11C3216C0G1H104J080AA产品资料 集成电路接口芯片
C3216C0G1H104J080AA产品资料 品牌:TDK 原装正品现货
2020-6-13C2012X5R1A225M-60毫安稳压电荷泵电压逆变器
TPS6040x是一个系列器件产生一个不受管制的负输出电压的输入电压范围从1.6 V至5.5 V的设备通常提供了5 V或3.3 V由于preregulated供应铁路宽输入电压范围,两个或三个镍镉,镍氢电池或碱性电池,以及一个锂离子电池动力的。只有三个外部1μF电容需要构建一个完整的电荷泵DC / DC逆变器。组装在5引脚SOT23封装,完整的转换器,可以建在一个50平方毫米的电路板面积。额外的电路板面积元件数量的减少是通过取代肖特基二极管,通常需要启动成积体电路的负荷。TPS6040x能够以一个典型的转换效率,更大的一个最大输出电流60毫安在很宽的输出电流范围内超过90%。 3与20千赫,5
2012-12-28
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