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C30662E

InGaAs Avalanche Photodiode

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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高性能铟镓砷APD

埃赛力达C30662EH InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装;大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量\n\n • 感光直径:200 µm\n• 击穿电压:40-70 V\n• 温度系数:0.14V/°C\n• 响应度:在1550 nm为9.3 A/W\n• 暗电流:45 nA\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n• 结电容:2.5 pF\n• 带宽:850 MHz\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n• 增益:20\n• 封装:TO-18\n• 窗口孔径:大型2mm\n• 窗口类型:玻璃;

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C30662EH-1 InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n专用于Delta-V > 4v\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • C30662EH-1:\n\n• 感光直径:200 µm\n\n• 击穿电压:40-70 VVbd-Vop: >4V\n\n• 温度系数:0.14V/°C\n\n• 响应度:在1550nm为9.3 A/W\n\n• 暗电流:45 nA\n\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n\n• 结电容:2.5 pF\n\n• 带宽:850 MHz\n\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n\n• 增益:20\n\n• 封装:TO-18\n\n• 窗口孔径:大型2mm\n\n• 窗口类型:玻璃;

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高性能铟镓砷APD

C30662EH-3经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,小孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • 感光直径:200 µm击穿电压:40-70 V温度系数:0.14V/°C响应度:在1550 nm为9.3 A/W暗电流:45 nA光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz结电容:2.5 pF带宽:850 MHz量子效率:在1300-1550nm为75%增益:20封装:TO-18 窗口孔径:小型0.8mm窗口类型:玻璃;

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埃赛力达

封装/外壳:2-SMD 包装:带 描述:INGAAS APD, 200UM, CERAMIC SUBMO 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管

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埃赛力达

封装/外壳:TO-18-2 金属罐 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:INGAAS APD 200UM TO-18 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管

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埃赛力达

1-, 2-, 3-Channel, 10-Input, 18-Output Line Card Timing ICs

文件:290.8 Kbytes Page:5 Pages

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C30662E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    C30662E

  • 制造商

    PERKINELMER

  • 制造商全称

    PerkinElmer Optoelectronics

  • 功能描述

    InGaAs Avalanche Photodiode

更新时间:2026-8-4 15:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Excelitas(埃赛力达)
26+
TO-18
15000
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64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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