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C30662E

InGaAsAvalanchePhotodiode

Description PerkinElmerC30659SeriesincludesaSiliconorInGaAsAvalanchePhotodiodewithahybridpreamplifier.Itissuppliedinasinglemodified12-leadTO-8package.TheavalanchephotodiodesusedinthesedevicesaretheC30817E,C30902E,C30954E,C30956E,C30645EandC30662Ethatprov

PerkinElmer

PerkinElmer Optoelectronics

PerkinElmer

封装/外壳:2-SMD 包装:带 描述:INGAAS APD, 200UM, CERAMIC SUBMO 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管

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1-,2-,3-Channel,10-Input,18-OutputLineCardTimingICs

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

C30662E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    C30662E

  • 制造商

    PERKINELMER

  • 制造商全称

    PerkinElmer Optoelectronics

  • 功能描述

    InGaAs Avalanche Photodiode

更新时间:2025-5-17 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
TO92
20000
全新原装假一赔十
COEV
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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22+
TO-251
8000
原装正品支持实单
三洋
24+
TO-92
5000
CHINA
24+
TO251/252
56800
特价现货,下单送华为手机.香港 日本 新加坡
OOO
1535+
135
17
24+
TO-252
3750
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