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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BAS281	Schottky Barrier Diodes FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
P281	PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim	POLYFET	POLYFET
TC281	1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor 文件：238.9 Kbytes Page：18 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC281-	Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC281DPTR-ADJ	Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI

C281M供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:21:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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C3200-0332
优势渠道
2024-1-2
C315C105K3R5TA
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2023-10-10
C19D903205P1375
C19D903205P1375 OTHER 20+ 标准封装 C8051F001 SILICONLABS 20+ 标准封装 C8051F023-GQ SILICONLABS 20+ 标准封装 CAT24C04WI CATALYSTSEMICONDUCTOR 20+ 标准封装 CAT24C08WI-GT3 CATALYSTSEMICONDUCTOR 20+ 标准封装 CAT28F010G-12(PROG) OTHER 20+ 标准封装 CMCPCI102BR CALIFORNIAMICRODEVICES 20+ 标准封装 CP
2021-6-5
C2M0040120D 碳化硅功率MOSFET SIC 深圳市正纳电子有限公司
C2M0040120D
2020-12-23
C1CB00002620
C1CB00002620,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-11
C2012X5R1A225M-60毫安稳压电荷泵电压逆变器
TPS6040x是一个系列器件产生一个不受管制的负输出电压的输入电压范围从1.6 V至5.5 V的设备通常提供了5 V或3.3 V由于preregulated供应铁路宽输入电压范围，两个或三个镍镉，镍氢电池或碱性电池，以及一个锂离子电池动力的。只有三个外部1μF电容需要构建一个完整的电荷泵DC / DC逆变器。组装在5引脚SOT23封装，完整的转换器，可以建在一个50平方毫米的电路板面积。额外的电路板面积元件数量的减少是通过取代肖特基二极管，通常需要启动成积体电路的负荷。TPS6040x能够以一个典型的转换效率，更大的一个最大输出电流60毫安在很宽的输出电流范围内超过90％。 3与20千赫，5
2012-12-28