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SUD45P03-09-GE3中文资料
SUD45P03-09-GE3数据手册规格书PDF详情
Features
VDS= -30V, ID= -100A
RDS(ON) < 5.3mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
SUD45P03-09-GE3产品属性
- 类型
描述
 - 型号
SUD45P03-09-GE3
 - 功能描述
MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
 - RoHS
是
 - 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
 - 系列
TrenchFET®
 - 标准包装
1,000
 - 系列
MESH OVERLAY™ FET
 - 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
 - 特点
逻辑电平门
 - 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
 - C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
 - C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
 - Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
 - Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
 - Vds
1560pF @ 25V 功率 -
 - 最大
40W
 - 安装类型
通孔
 - 封装/外壳
TO-220-3 整包
 - 供应商设备封装
TO-220FP
 - 包装
管件
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装  | 
25+  | 
TO-252  | 
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SUD45P03-09-GE3 价格
参考价格:¥3.1633
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