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SI4940DY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4940DY-T1-E3

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5

功能描述

Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

MOSFET 40V 5.7A 2.1W

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

SI4940DY-T1-E3数据手册规格书PDF详情

Features

VDS= 60V, ID= 5 A

RDS(ON) < 30 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 36 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

SI4940DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4940DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 40V 5.7A 2.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:23:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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