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ISL9N312AD3ST中文资料

厂家型号

ISL9N312AD3ST

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功能描述

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

ISL9N312AD3ST数据手册规格书PDF详情

Features

 VDS= 40V, ID= 150A

RDS(ON) < 2 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 3 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

ISL9N312AD3ST产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ISL9N312AD3ST

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 20:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
25+
TO-263
18000
原厂直接发货进口原装
HARRIS
1415+
TO-252(DPAK)
28500
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24+
TO-252
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新进库存/原装
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23+
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